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      VCSEL單模垂直腔面發射激光器GaAs 795 nm/894.6 nm 0.13mW  

      垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。結……

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      型號 貨號 操作 名稱
      VCSEL-894.6-0.3  A80040028      894.6 nm, VCSEL單模垂直腔面發射激光器GaAs   [PDF] 正向電流 VF 典型值 1.78 V 輸出功率 Φ 典型值 0.3 mW 閾值電流 Ith 典型值 0.61 mA 斜率效能 SE 典型值 0.37 W / A 單模抑制比 SMSR 最小值 20 dB 偏振消光比5) PER 最小值 15 dB 峰值波長 λpeak-v 最小值 典型值 最大值 894.1 nm 894.6 nm 895.1 nm     價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服
      VCSEL-795-0.13  A80040029      795 nm , VCSEL單模垂直腔面發射激光器GaAs   [PDF] 正向電流 VF 典型值 1.8 V 輸出功率 Φ 典型值 0.13 mW 閾值電流 Ith 典型值 0.75 mA 斜率效能 SE 典型值 0.21 W / A 單模抑制比 SMSR 最小值 20 dB 偏振消光比5) PER 最小值 15 dB 峰值波長 λpeak-v 最小值 典型值 最大值 794.5 nm 795 nm 795.5 nm     價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服
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      垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。結構由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型,N型布拉格發射器。有源區有量子肼組成,在P型DBR外表面制作金屬接觸層,形成歐姆接觸,并在P型DBR上制作一個圓形出口,輸出激光。










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